研究开发

真空设备和系统的研发历程
    1989-1992:研制出国内首套大功率晶体管用单晶硅薄膜外延生长(LPCVD)设备系统,实现了低温外延单晶硅薄膜的生长,解决了大功率晶体管因高温自扩散效应而引起的漏电问题,从而首次在国内研制出节能灯用电子整流器的大功率晶体管(SIT),并成功地实现了产业化生产,替代了相关的进口产品。

    1992-1995:研制并改进热丝低压化学气相沉积系统(HFCVD)和微波等离子体化学气相沉积系统(MWCVD),并用于金刚石薄膜的生长,使生长速率在原有基础上提高了十多倍,解决了金刚石薄膜生长的实用化关键技术问题。

    1996-2003:研制各种等离子体源和整机系统,并用于高性能半导体及信息存储器件的制造(新加坡)。主要包括: 

        电子回旋共振微波等离子体沉积和刻蚀系统; 

        电容耦合式射频等离子体沉积和刻蚀系统; 

        电感耦合式射频等离子体沉积和刻蚀系统; 

        粒子束与阴极电弧共沉积系统; 

        过滤阴极电弧源及整机系统(在国际上第一个实现了产业化,并用于硬盘和磁头表面保护膜的生产);

    2003-2011:研制开发出六大系列高性能的真空等离子体系统,并应用于光电子、半导体、平板显示、电容、传感等器件的研发和生产,主要包括: 

        多功能磁控溅射系统(共焦溅射、垂直溅射、对靶溅射等); 

        多功能磁控等离子体化学气相沉积系统; 

        多功能激光溅射系统; 

        等离子体表面处理与刻蚀系统; 

        多源纳米团簇制备系统; 

        超高真空光电测试系统。

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